登录  
 加关注
查看详情
   显示下一条  |  关闭
温馨提示!由于新浪微博认证机制调整,您的新浪微博帐号绑定已过期,请重新绑定!立即重新绑定新浪微博》  |  关闭

薄膜人生

薄膜光学,魅力人生

 
 
 

日志

 
 

CCD VS CMOS  

2008-06-04 09:36:48|  分类: 镀膜技术 |  标签: |举报 |字号 订阅

  下载LOFTER 我的照片书  |

 

Mr.OH!主述 / ANAN 編譯 CCD 和 CMOS 感光元件的區別 Olympus E1 CCD 感光套件(包含超音波除塵器) Mr.OH! 在第二講中概略地介紹了 CCD 與 CMOS,但對於大多數的同學來說,看得到的卻是一顆顆已經整合好的晶片組合!內部詳細的結構,以及到底是如何運作產生我們看到的一幅幅數位照片,且我們撇開複雜的技術文字,透過圖片比較,來看這兩種不同類型,作用卻又相同的影像感光元件。 放大器位置和數量 比較 CCD 和 CMOS 的結構,放大器的位置和數量是最大的不同之處,Mr.OH! 會在下一講 CCD 感光元件工作原理(上),提及完整的感光元件作業流程。此講中,Mr.OH!簡單地解釋:CCD 每曝光一次,自快門關閉或是內部時脈自動斷線(電子快門)後,即進行畫素轉移處理,將每一行中每一個畫素(pixel)的電荷信號依序傳入『緩衝器(電荷儲存器)』中,由底端的線路導引輸出至 CCD 旁的放大器進行放大,再串聯 ADC(類比數位資料轉換器) 輸出;相對地,CMOS 的設計中每個畫素旁就直接連著『放大器』,光電訊號可直接放大再經由 BUS 通路移動至 ADC 中轉換成數位資料。 兩者優缺點的比較 CCD 與 CMOS 感光元件之優缺點比較   CCD CMOS 設計 單一感光器 感光器連結放大器 靈敏度 同樣面積下較高 感光開口小低(Fill Factor 因感光開口大,較高) 成本 線路品質影響良率高 整合製程低 解析度 結構複雜度低高 傳統技術較低新技術擺脫面積限制,可達全片幅 雜訊比 單一放大器主控低 多元放大器,誤差大高 耗能比 需外加電壓導出電荷高 畫素直接放大低 反應速度 慢 快 IPA (個別畫素定址) 無 有 製造機具 特殊訂製機台 可以使用記憶體或處理器製造機 由於構造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在於充分保持信號在傳輸時不失真(專屬通道設計),透過每一個畫素集合至單一放大器上再做統一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單,沒有專屬通道的設計,因此必須先行放大再整合各個畫素的資料。 CCD 與 CMOS 電路結構之完整比較(摘錄自 SHARP 月刊) 差異分析 整體來說,CCD 與 CMOS 兩種設計的應用,反應在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、製造成本、解析度、雜訊與耗電量等,不同類型的差異: ISO 感光度差異:由於 CMOS 每個畫素包含了放大器與A/D轉換電路,過多的額外設備壓縮單一畫素的感光區域的表面積,因此在 相同畫素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會低於CCD。  成本差異:CMOS 應用半導體工業常用的 MOS制程,可以一次整合全部周邊設施於單晶片中,節省加工晶片所需負擔的成本 和良率的損失;相對地 CCD 採用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另闢傳輸通道,如果通道中有一個畫素故障(Fail),就會導致一整排的 訊號壅塞,無法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另闢傳輸通道和外加 ADC 等周邊,CCD的製造成本相對高於CMOS。  解析度差異:在第一點『感光度差異』中,由於 CMOS 每個畫素的結構比 CCD 複雜,其感光開口不及CCD大, 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時,CCD感光器的解析度通常會優於CMOS。不過,如果跳脫尺寸限制,目前業界的CMOS 感光原件已經可達到1400萬 畫素 / 全片幅的設計,CMOS 技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件製造上的困難,特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。  雜訊差異:由於CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器,如果以百萬畫素計,那麼就需要百萬個以上的 ADC 放大器,雖然是統一製造下的產品,但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達到放大同步的效果,對比單一個放大器的CCD,CMOS最終計算出的雜訊就比較多。  耗電量差異:CMOS的影像電荷驅動方式為主動式,感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式, 必須外加電壓讓每個畫素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度,高驅動電壓使 CCD 的電量遠高於CMOS。 其他差異:IPA(Indiviual Pixel Addressing)常被使用在數位變焦放大之中,CMOS 必須仰賴 x,y 畫面定位放大處理,否則由於個別畫素放大器之誤差,容易產生畫面不平整的問題。製造機具上,CCD 必須特別訂製的機台才能製造,也因此生產高畫素的 CCD 元件產生不出日本和美國,CMOS 的生產一般記憶體/處理器機台即可擔負。 Fill Factor CMOS 開創新未來 CMOS 完整 3D透視 與 平面結構,位於最上層的為 MicroLens 微型聚光鏡片 儘管 CCD 在影像品質等各方面均優於CMOS,但不可否認的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。 由於數位影像的需求熱烈,CMOS的低成本和穩定供貨,成為廠商的最愛,也因此其製造技術不斷地改良更新,使得 CCD 與 CMOS 兩者的差異逐漸縮小 。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標,以期進入照相手機的行動通訊市場;CMOS系列,則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合,藉由後續的影像處理修正雜訊以及畫質表現, 特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功,足見高速影像處理晶片已經可以勝任高畫素 CMOS 所產生的影像處理時間與能力的縮短;另外,大尺寸全片幅則以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 這一系列的數位機身為號召,CMOS未來跨足高階的影像市場產品,前景可期。 Fill Factor CMOS 由於感光開口加大,不需要MicroLens輔助聚光,改以平面玻璃覆蓋保護,此一不同之處,使得 FF CMOS 的影像表現不會受制於微型鏡片的干擾,而能夠呈現更佳的影像效果

 

  评论这张
 
阅读(236)| 评论(0)

历史上的今天

评论

<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

页脚

网易公司版权所有 ©1997-2018