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薄膜人生

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ITO的成膜性能  

2008-06-04 09:38:25|  分类: 镀膜技术 |  标签: |举报 |字号 订阅

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采用电子束蒸发和射频溅射的ITO在性能上有什么不同?

有国外文献资料上写用电子枪蒸发离子源辅助可以将电阻率做的更低。现在ITO常规是用DC直流磁控溅射透过率在81%~90%范围内,与膜厚成反比,电阻率可以做到1.5~2.0ohm.cm。另一种技术是DC+RF磁控溅射技术,主要是用在液晶显示器的彩色滤光片上镀ITO导电膜,由于彩色滤光片的是有机材料,所以要求成膜温度较低,这种技术可以实现在温度220度(常规ITO镀膜在350度左右)以下电阻率小于1.5ohm.cm,也就是在相同电阻要求下膜可以做的更薄,这样透过率也就相应得到提高。

 

 

ITO的导电机理应该是空穴导电吧?

ITO薄膜实际上是一种高简并的n型半导体,这归因于掺锡和形成氧空位从而使其导电粒子—电子密度大大增加(1021cm-3)和电阻率急剧下降(7×10-5Ф·cm)的结果。如此高的载流子浓度是由于两种不同的施主—替位式锡原子和氧空位分布于材料中,使ITO薄膜电导率很接近于金属导体

 

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