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EBPVD系统都配备离子源  

2010-04-16 10:08:21|  分类: 镀膜技术 |  标签: |举报 |字号 订阅

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EBPVD系统都配备离子源。这些离子源用于基板蚀刻和清洁,溅射目标和控制基体微观结构。离子束轰击表面,改变薄膜的微观结构。当沉积反应是发生在基片表面进行热的电影可以制定内部拉应力是由于不匹配系数之间的基底和薄膜的热膨胀。高能离子可以用来轰击这些陶瓷热障涂层和压应力变为拉应力。离子轰击也增加了影片的密度,晶粒尺寸变化和修改非晶薄膜的晶薄膜。低能离子用于半导体薄膜的表面。

优势EBPVD

在这一进程中沉积率可低至每分钟1至高达每分钟几微米波长。该材料的利用效率高,相对于其他的方法和程序提供的结构和形态的电影的管制。由于非常高的沉积速率,这一过程有潜力的工业应用在航天工业,切割和工具产业,电子和半导体产业的光学薄膜硬耐磨涂层及热障涂层。

缺点EBPVD

EBPVD是一个包括生产线的沉积过程视线。轴的平移和旋转运动有助于涂料的复杂几何形状的外表面,但这个过程不能用于涂层的复杂几何形状的内表面。另一个潜在的问题是,在非电子枪的结果长丝退化均匀蒸发率。

 

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<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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